- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VBMB165R20SFD
VBMB165R20SFD
- 描述
- TO220F；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=175mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2.5~4.5V；是一款采用SJ_Multi-EPI技术高性能的单N沟道MOSFET，适用于电源模块、汽车电子系统等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBMB165R20SFD
- 商品编号
- C42412704
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 175mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 38W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 54nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品特性
- 低品质因数(FOM)Ron × Qg
- 超快体二极管
- 降低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷(Qg)
- 雪崩能量额定值(UIS)
应用领域
- 服务器和电信电源
- 开关模式电源(SMPS)
- 功率因数校正电源(PFC)
- 照明
- 高强度气体放电灯(HID)
- 荧光灯镇流器照明
- 工业应用