- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VBL155R20
VBL155R20
- 描述
- TO263；N—Channel沟道,550V；20A；RDS(ON)=200mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款采用Plannar技术单N型功率场效应晶体管适用于多种领域和模块应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBL155R20
- 商品编号
- C42412685
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.995克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 550V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 201W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.622nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品特性
- 降低反向恢复时间trr、反向恢复电荷Qrr和反向恢复峰值电流IRRM
- 低品质因数(FOM)R\text on x Qg
- 低输入电容\left(Ciss\right)
- 因Qrr降低,开关损耗低
- 超低栅极电荷\left(Qg\right)
- 雪崩能量额定(UIS)
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 电信
- 服务器和电信电源
- 照明
- 高强度气体放电灯(HID)
- 荧光灯镇流器照明
- 消费电子和计算机
- ATX电源
- 工业应用
- 焊接
- 电池充电器
- 可再生能源
- 太阳能(光伏逆变器)
- 开关电源(SMPS)