VBP155R13
VBP155R13
- 描述
- TO247；N—Channel沟道,550V；13A；RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款采用Plannar技术单N型MOSFET，适用于电力电子模块、电机驱动模块等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBP155R13
- 商品编号
- C42412686
- 商品封装
- TO-247AC
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 550V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 43W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.989nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 32.6pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品特性
- 低栅极电荷 Qg,驱动要求简单
- 增强了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性
- 完整表征了电容、雪崩电压和电流
- 符合 RoHS 标准
- 提供无卤版本
应用领域
- 开关模式电源 (SMPS)
- 不间断电源
- 功率因数校正