- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VBGL2403
VBGL2403
- 描述
- TO263；P—Channel沟道,-40V；-150A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；是一款一款单P通道场效应管，采用SGT技术，适用于电源模块、电动工具等多个领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBGL2403
- 商品编号
- C42412671
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.995克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC | |
| 输入电容(Ciss) | 9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 208pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 301pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 采用 SGT 技术的功率 MOSFET
- 低热阻封装
- 100%进行 Rg 和 UIS 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC