VBM15R18S
VBM15R18S
- 描述
- TO220;N—Channel沟道,500V;18A;RDS(ON)=192mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=2~4V;是一款采用SJ_Multi-EPI技术单N沟道场效应管,适合用于电源模块中的功率开关。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBM15R18S
- 商品编号
- C42412680
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 低品质因数 (FOM) 导通电阻 (Ron) × 栅极电荷 (Qg)
- 低输入电容 (Ciss)
- 降低开关和传导损耗
- 低栅极电荷 (Qg)
- 雪崩能量额定值 (UIS)
- 符合 RoHS 标准
- 无卤
应用领域
- 计算机领域
- 个人电脑银色机箱 / ATX 电源
