VBP15R18S
VBP15R18S
- 描述
- TO247；N—Channel沟道,500V；18A；RDS(ON)=192mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款采用SJ_Multi-EPI技术单通道 N 沟道场效应管，适用于工业电源模块、太阳能逆变器等高压应用领域。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBP15R18S
- 商品编号
- C42412679
- 商品封装
- TO-247AC
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 192mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 206W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.162nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 51pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品特性
- 低品质因数 (FOM) 导通电阻 (Ron) × 栅极电荷 (Qg)
- 低输入电容 (Ciss)
- 降低开关和传导损耗
- 低栅极电荷 (Qg)
- 雪崩能量额定值 (UIS)
- 符合 RoHS 标准
- 无卤
应用领域
- 计算机领域
- 个人电脑银色机箱 / ATX 电源