- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VBM2412
VBM2412
- 描述
- TO220；P—Channel沟道,-40V；-65A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=40V；Vth=-1.5~-1.7V；是一款单P通道场效应管，采用Trench技术，适用于一定功率和散热要求的电路设计。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBM2412
- 商品编号
- C42412675
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 187W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 160nC | |
| 输入电容(Ciss) | 9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 715pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.565nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±40V |
商品特性
- 符合欧盟2002/95/EC号《关于限制在电子电器设备中使用某些有害成分的指令》(RoHS)
应用领域
- 笔记本电脑适配器开关-笔记本电脑负载开关