- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VBL15R30S
VBL15R30S
- 描述
- TO263；N—Channel沟道,500V；30A；RDS(ON)=115mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款采用SJ_Multi-EPI技术单N沟道MOSFE，适用于电动汽车电力系统、工业高压电源模块等领域。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBL15R30S
- 商品编号
- C42412677
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.995克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 280W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.98nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品特性
- 低品质因数 (FOM):R\text on x Q\text g
- 低输入电容 \left(Ciss\right)
- 降低开关和传导损耗
- 低栅极电荷 \left(Qg\right)
- 雪崩能量额定 (UIS)
- 符合 RoHS 标准
- 无卤
应用领域
-硬开关拓扑-功率因数校正电源 (PFC)-开关模式电源 (SMPS)-计算机领域-个人电脑银盒/ATX 电源-照明-两级 LED 照明