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VBL15R30S
VBL15R30S
- 描述
- TO263；N—Channel沟道,500V；30A；RDS(ON)=115mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款采用SJ_Multi-EPI技术单N沟道MOSFE，适用于电动汽车电力系统、工业高压电源模块等领域。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBL15R30S
- 商品编号
- C42412677
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.995克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 低品质因数 (FOM):R\text on x Q\text g
- 低输入电容 \left(Ciss\right)
- 降低开关和传导损耗
- 低栅极电荷 \left(Qg\right)
- 雪崩能量额定 (UIS)
- 符合 RoHS 标准
- 无卤
应用领域
-硬开关拓扑-功率因数校正电源 (PFC)-开关模式电源 (SMPS)-计算机领域-个人电脑银盒/ATX 电源-照明-两级 LED 照明