- 引脚图
- 焊盘图
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VBGQA3402
VBGQA3402
- 描述
- DFN8(5X6)；2个N—Channel沟道,40V；90A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；是一款双极性N+N沟道场效应管，采用SGT技术，适用于需要双极性功率控制的应用场合。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBGQA3402
- 商品编号
- C42412672
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC | |
| 输入电容(Ciss) | 9.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 470pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 结温 175 °C
- SGT 技术功率 MOSFET
- 符合 RoHS 标准