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VBGQA1803实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

VBGQA1803

VBGQA1803

描述
DFN8(5X6);N—Channel沟道,85V;140A;RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;是一款单N型沟道MOSFET,采用SGT技术,在各类功率开关模块应用中广泛应用。
商品型号
VBGQA1803
商品编号
C42412663
商品封装
DFN-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.171克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)85V
连续漏极电流(Id)140A
导通电阻(RDS(on))3mΩ@10V
耗散功率(Pd)136W
阈值电压(Vgs(th))2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)92nC
输入电容(Ciss)8.6nF
反向传输电容(Crss)225pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)470pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

-结温175°C-SGT技术功率MOSFET-材料分类:符合RoHS标准

应用领域

  • 电源
  • 不间断电源
  • 交直流开关电源
  • 照明
  • 同步整流
  • 直流-直流转换器
  • 电机驱动开关
  • 直流-交流逆变器
  • 太阳能微型逆变器
  • D类音频放大器

数据手册PDF