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VBQF1208N
VBQF1208N
- 描述
- DFN8(3X3)；N—Channel沟道,200V；14.1A；RDS(ON)=85mΩ@VGS=10V,VGS=12V；Vth=2~4V；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于各种电子设备和模块的驱动、开关和功率控制应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBQF1208N
- 商品编号
- C42412669
- 商品封装
- DFN-8-EP(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 雷电功率MOSFET
- 优化的Qg和Qoss提高效率
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
-初级侧开关-同步整流-DC/DC转换器-升压转换器-N沟道MOSFET