- 引脚图
- 焊盘图
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VBQF1208N
VBQF1208N
- 描述
- DFN8(3X3)；N—Channel沟道,200V；14.1A；RDS(ON)=85mΩ@VGS=10V,VGS=12V；Vth=2~4V；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于各种电子设备和模块的驱动、开关和功率控制应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBQF1208N
- 商品编号
- C42412669
- 商品封装
- DFN-8-EP(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 57W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.3nC | |
| 输入电容(Ciss) | 608pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 57pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 雷电功率MOSFET
- 优化的Qg和Qoss提高效率
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
-初级侧开关-同步整流-DC/DC转换器-升压转换器-N沟道MOSFET