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VBL2101N
VBL2101N
- 描述
- TO263；P—Channel沟道,-100V；-100A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；是一款单P型MOSFET，采用Trench技术，适用于电动汽车、直流电源和工业控制等多个领域和模块
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBL2101N
- 商品编号
- C42412670
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.995克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤标准
- 沟槽式功率 MOSFET
- 100% 进行 Rg 和 UIS 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
-电源开关-大电流应用中的负载开关-DC/DC 转换器