- 引脚图
- 焊盘图
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VBQF1101N
VBQF1101N
- 描述
- DFN8(3X3)；N—Channel沟道,100V；50A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款单N型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于各种需要中等电压、适中电流和低导通电阻的应用领域。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBQF1101N
- 商品编号
- C42412667
- 商品封装
- DFN-8-EP(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 355W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 410pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 175°C结温
- 低热阻封装
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-隔离式DC/DC转换器