- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VBQG5325
VBQG5325
- 描述
- DFN6(2X2)；N+P—Channel沟道,±30V；±7A；RDS(ON)=18/32mΩ@VGS=10V,VGS=12V；Vth=±1~±2V；是一款双N+P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用多种电子领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBQG5325
- 商品编号
- C42412666
- 商品封装
- DFN-6-EP(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V；30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A；7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V；18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W；3.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V；2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC；41.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 510pF；620pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 57pF；33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 95pF；115pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 根据 IEC 61249-2-21 定义为无卤产品
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行 Rq 和 UIS 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 电机驱动
- 移动电源