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VBQG5325
VBQG5325
- 描述
- DFN6(2X2)；N+P—Channel沟道,±30V；±7A；RDS(ON)=18/32mΩ@VGS=10V,VGS=12V；Vth=±1~±2V；是一款双N+P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用多种电子领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBQG5325
- 商品编号
- C42412666
- 商品封装
- DFN-6-EP(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 根据 IEC 61249-2-21 定义为无卤产品
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行 Rq 和 UIS 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 电机驱动
- 移动电源