- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VBQF2305
VBQF2305
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；DFN8(3X3)；P—Channel沟道,-30V；-52A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；是一款单P通道场效应管，采用Trench技术，适用于中高功率应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBQF2305
- 商品编号
- C42412664
- 商品封装
- DFN8(3X3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.10015克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 52A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.427nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 430pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 452pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行 Rq 测试
- 100% 进行 UIS 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
-笔记本电脑适配器开关-笔记本电脑负载开关