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VBQG8218
VBQG8218
- 描述
- DFN6(2X2)；P—Channel沟道,-20V；-10A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.4~-1.5V；是一款单通道P型MOSFET，采用Trench技术，适用于中小功率电路。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBQG8218
- 商品编号
- C42412665
- 商品封装
- DFN-6-EP(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 热增强型DFN2X2封装
- 占用面积小
- 低导通电阻
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 便携式设备的负载开关、功率放大器开关和电池开关