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VBGQA1103
VBGQA1103
- 描述
- DFN8(5X6)；N—Channel沟道,100V；135A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；是一款单N沟道场效应晶体管，采用SGT技术，适用于需要高电压和大电流的应用场合。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBGQA1103
- 商品编号
- C42412662
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 结温175 °C
- SGT技术功率MOSFET
- N沟道MOSFET
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源-不间断电源-交直流开关电源-照明-同步整流-直流-直流转换器-电机驱动开关-直流-交流逆变器-太阳能微型逆变器-D类音频放大器