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VBGQA1151N
VBGQA1151N
- 描述
- DFN8(5X6)；N—Channel沟道,150V；70A；RDS(ON)=14mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；是一款高性能的单N沟道场效应晶体管，采用SGT技术，适用于电源管理模块、电动工具模块和汽车电子模块等领域。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBGQA1151N
- 商品编号
- C42412661
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义，无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC