- 引脚图
- 焊盘图
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VBGQA1151N
VBGQA1151N
- 描述
- DFN8(5X6)；N—Channel沟道,150V；70A；RDS(ON)=14mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；是一款高性能的单N沟道场效应晶体管，采用SGT技术，适用于电源管理模块、电动工具模块和汽车电子模块等领域。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBGQA1151N
- 商品编号
- C42412661
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC | |
| 输入电容(Ciss) | 7.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 470pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 结温175 °C
- SGT技术功率MOSFET
- 材料分类:符合RoHS标准