HUPA2815T1S
HUPA2815T1S
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- 描述
- 这款P沟道场效应管支持48A的连续漏极电流，适用于需要处理较大电流的应用场景。其漏源电压为20V，导通电阻仅为7.5毫欧姆，确保了低功耗和高效率。栅源电压范围为12V，提供了可靠的开关性能。此MOSFET特别适合于电源管理、负载切换及信号路径控制等场合，在消费电子设备以及其他要求高性能与紧凑设计的领域中表现优异。
- 商品型号
- HUPA2815T1S
- 商品编号
- C42401167
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 48A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 29W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 300mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.783nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 431pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个5000个/圆盘
总价金额：
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