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HUPA2815T1S

HUPA2815T1S

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描述
这款P沟道场效应管支持48A的连续漏极电流,适用于需要处理较大电流的应用场景。其漏源电压为20V,导通电阻仅为7.5毫欧姆,确保了低功耗和高效率。栅源电压范围为12V,提供了可靠的开关性能。此MOSFET特别适合于电源管理、负载切换及信号路径控制等场合,在消费电子设备以及其他要求高性能与紧凑设计的领域中表现优异。
商品型号
HUPA2815T1S
商品编号
C42401167
商品封装
DFN-8L(3x3)
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型-
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)48A
导通电阻(RDS(on))7.5mΩ@4.5V,10A
耗散功率(Pd)29W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))300mV
栅极电荷量(Qg)9nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)5.783nF@15V
反向传输电容(Crss)431pF@15V
工作温度-55℃~+150℃
配置-

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