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HNTH4L025N065SC1
ID:120A VDSS:650V RDON:15mR N沟道
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- 描述
- 该款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）拥有120A的连续漏极电流（ID/A），并且设计有650V的漏源击穿电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON/mR）低至15毫欧姆，在15V的栅源电压（VGS/V）下表现出色。凭借其低损耗特性，该MOSFET适用于高功率密度转换应用，例如高性能的开关模式电源、不间断电源系统等，能够在高频开关应用中实现高效能和热稳定性，从而优化电力转换效率。
- 商品型号
- HNTH4L025N065SC1
- 商品编号
- C42389114
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.26克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 耗散功率(Pd) | 416W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 188nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 5.011nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 289pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ |