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HSCTWA90N65G2V4
ID:120A VDSS:650V RDON:15mR N沟道
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- 描述
- 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具备出色的电气性能，最大导通电流ID为120A，最高工作电压VDSS可达650V，确保了在高压环境下的稳定运行。其导通电阻RDON低至15毫欧（mΩ），有助于减少能量损耗，提升转换效率。栅源电压VGS的最大值为15V，使得该器件易于驱动并保持良好的开关特性。适用于需要高效能和高可靠性的电力转换系统，如高频逆变器、不间断电源系统等，能够在紧凑的设计空间内实现高性能的电力控制。
- 商品型号
- HSCTWA90N65G2V4
- 商品编号
- C42389047
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.26克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 耗散功率(Pd) | 416W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 188nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 5.011nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 289pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ |
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