FQAF44N08
1个N沟道 耐压:80V 电流:35.6A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQAF44N08
- 商品编号
- C3291291
- 商品封装
- TO-3PF
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.206克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.43nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 520pF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低Qg和Qgd
- 小封装尺寸1.5 mm × 1.5 mm
- 栅极ESD保护<人体模型3A类>
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
应用领域
-电池管理-负载开关-电池保护