NDS352P
P沟道,电流:-0.85A,耐压:-20V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDS352P
- 商品编号
- C3290045
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 850mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 125pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
商品概述
ALD810027/ALD910027 是 ALD8100xx（四通道）和 ALD9100xx（双通道）超级电容器自动平衡 MOSFET（即 SAB™ MOSFET）系列的成员。SAB MOSFET 采用经过量产验证的 EPAD® 技术制造，旨在解决串联连接的超级电容器的电压和漏电流平衡问题。超级电容器，也称为 ultracapacitors 或 supercaps，通过在每个超级电容器组两端连接一个或多个器件的组合来平衡漏电流，以防止过压。 如“工作电气特性”表所示，ALD810027 为四个 SAB MOSFET 器件中的每一个提供了一组独特、精确的工作电压和电流特性。它可用于平衡多达四个串联连接的超级电容器。ALD910027 为其两个 SAB MOSFET 器件中的每一个都有一组独特的精确工作电气特性，适用于多达两个串联连接的超级电容器。 每个 SAB MOSFET 在 Vt 模式下具有精确的栅极阈值电压，当栅 - 漏源极端子（VGS = VDS）在漏源电流 IDS(ON) = 1μA 时连接在一起时，该电压为 2.70V。在这种模式下，输入电压 VIN = VGS = VDS。不同的 VIN 会产生输出电流 IOUT = IDS(ON) 特性，并形成一个有效可变电阻，其阻值随 VIN 呈指数变化。当这个 VIN 施加到串联的每个超级电容器两端时，可将每个超级电容器的电压和电流平衡在其限制范围内。 当向 ALD810027/ALD910027 施加 VIN = 2.70V 时，其 IOUT 为 1μA。当 VIN 增加 100mV 至 2.80V 时，IOUT 大约增加 10 倍。对于 ALD910027，当 VIN 进一步增加到 2.92V（ALD810027 为 2.94V）时，IOUT 增加 100 倍，达到 100μA。相反，当 VIN 降低 100mV 至 2.60V 时，IOUT 降至其先前值的十分之一，即 0.1μA。输入电压再降低 100mV，IOUT 将降至 0.01μA。因此，当将 ALD810027/ALD910027 SAB MOSFET 连接到充电至低于 2.50V 的超级电容器两端时，它基本上不消耗功率。 ALD810027/ALD910027 的导通电阻具有电压相关特性，当连接到超级电容器两端时，可有效控制其两端的过电压上升。在串联连接的超级电容器组中，当一个超级电容器的电压上升时，其他超级电容器的电压下降，漏电流最大的超级电容器电压最低。连接在这些超级电容器两端的 SAB MOSFET 将呈现互补的反向电流水平，除了超级电容器本身产生的漏电流外，几乎不会产生额外的漏电流。
商品特性
- 使用简单且经济
- 工厂精确微调
- 自动调节和平衡漏电流
- 有效实现超级电容器的电荷平衡
- 单个 IC 封装可平衡多达四个 supercaps
- 可平衡 2 节、3 节、4 节串联的 supercaps
- 可扩展至更大的超级电容器组和阵列
- 几乎无额外漏电流
- 在额定电压以下 0.3V 时无漏电流
- 可平衡串联和/或并联连接的 supercaps
- 漏电流是单体电压的指数函数
- 工作电流范围从 < 0.3 nA 到 >1000 μA
- 始终处于工作状态，响应时间快
- 最小化漏电流和功耗
应用领域
- 串联超级电容器单体的漏电流平衡-能量收集-带超级电容器输出的长期备用电池-选定电压下的零功耗分压器-匹配的电流镜和电流源-零功耗模式下的最大电压限制器-规模化的超级电容器组和阵列