NDS335N
N沟道,电流:1.7A,耐压:20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDS335N
- 商品编号
- C3290043
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@2.7V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 240pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品特性
- 在 VGS = 4.5 V 时,RDS(ON) = 0.11 Ω
- 电流 1.7 A,电压 20 V。在 VGS = 2.7 V 时,RDS(ON) = 0.14 Ω
- 采用专有设计的行业标准外形 SOT - 23 表面贴装封装,具备出色的热性能和电气性能
- 高密度单元设计,实现极低的 RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流承载能力
应用领域
- 笔记本电脑
- 便携式电话
- PCMCIA 卡
- 其他电池供电电路