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SQ4840EY-T1_BE3

停产 1个N沟道耐压:40V 电流:20.7A

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品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SQ4840EY-T1_BE3
商品编号: C3289762
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.172克(g)

商品参数

商品概述

第五代HEXFET采用先进的加工技术，实现了单位硅面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可广泛应用于各种领域。 SO-8封装通过定制引线框架进行了改进，具有更好的热特性和多芯片集成能力，使其非常适合各种功率应用。通过这些改进，在应用中使用多个器件时可大幅减少电路板空间。该封装适用于气相、红外或波峰焊接技术。

商品特性

沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
通过AEC-Q101认证
进行100%栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
符合RoHS标准且无卤素
N沟道MOSFET

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	40V
	连续漏极电流(Id)	20.7A
	导通电阻(RDS(on))	12mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	7.1W
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	62nC@10V
	输入电容(Ciss)	2.44nF
	反向传输电容(Crss)	280pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	630pF