FDS3570
80V N沟道 MOSFET,电流:9A,耐压:80V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS3570
- 商品编号
- C3289714
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.75nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道逻辑电平MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。 与具有类似RDS(ON)规格的其他MOSFET相比,这些MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷,使得DC/DC电源设计的整体效率更高。
商品特性
- RDS(ON) = 0.023 Ω(VGS = 6V)
- 9 A、80 V,RDS(ON) = 0.020 Ω(VGS = 10 V)
- 快速开关速度。
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)。
- 高功率和电流处理能力。
应用领域
-DC/DC转换器的同步整流器-电信次级侧整流-高端服务器/工作站Vcore低端