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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDG6302P

双P沟道,电流:-0.14A,耐压:-25V

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDG6302P
商品编号
C3289628
商品封装
SC-88(SC-70-6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.03克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个P沟道
漏源电压(Vdss)25V
连续漏极电流(Id)140mA
导通电阻(RDS(on))13Ω@2.7V
耗散功率(Pd)300mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.5V
栅极电荷量(Qg)310pC
输入电容(Ciss)12pF
反向传输电容(Crss)1.5pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道

商品特性

  • -25 V,连续电流 -0.14 A,峰值电流 -0.4 A。
  • 当VGS = -4.5 V时,RDS(ON) = 10 Ω;当VGS = -2.7 V时,RDS(ON) = 13 Ω。
  • 栅极驱动要求极低,允许在3V电路中直接工作(VGS(th) < 1.5V)
  • 栅源齐纳二极管,具备出色的ESD耐受性(人体模型 >6kV)。
  • 采用紧凑的行业标准SC70 - 6表面贴装封装。

应用领域

  • DC-DC转换器和离线式UPS-原边开关-高速功率开关应用

数据手册PDF