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HUF75631S3S

1个N沟道耐压:100V 电流:33A

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品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: HUF75631S3S
商品编号: C3288220
商品封装: D2PAK(TO-263AB)
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

RFM12N18、RFM12N20、RFP12N18和RFP12N20是n沟道增强型硅栅功率场效应晶体管，适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器以及需要高速和低栅极驱动功率的大功率双极型开关晶体管驱动器等应用。这些型号可直接由集成电路驱动。 RFM系列采用JEDEC TO - 204AA钢制封装，RFP系列采用JEDEC TO - 220AB塑料封装。

商品特性

12A、180V和200V
导通电阻rDS(on) = 0.25Ω
安全工作区受功率耗散限制
纳秒级开关速度
线性传输特性
高输入阻抗
多数载流子器件

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	100V
	连续漏极电流(Id)	33A
	导通电阻(RDS(on))	40mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	120W
	阈值电压(Vgs(th))	4V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	42nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.22nF
	反向传输电容(Crss)	100pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	295pF