FQB9N25CTM
N沟道,电流:8.8A,耐压:250V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQB9N25CTM
- 商品编号
- C3288195
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 430mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 74W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 710pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品概述
这款数字音频MOSFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET采用最新的加工技术，以实现单位硅面积的低导通电阻。此外，对栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻进行了优化，以改善D类音频放大器的关键性能指标，如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）。该MOSFET的其他特性包括175°C的工作结温和重复雪崩能力。这些特性相结合，使这款MOSFET成为D类音频放大器应用中高效、耐用且可靠的器件。
商品特性
- 针对D类音频放大器应用优化关键参数
- 低漏源导通电阻（RDSON），提高效率
- 低栅极电荷（QG）和开关电荷（QSW），改善总谐波失真（THD）并提高效率
- 低反向恢复电荷（QRR），改善总谐波失真（THD）并降低电磁干扰（EMI）
- 175°C工作结温，增强耐用性
- 在半桥配置放大器中，每通道可向4Ω负载提供高达300W的功率