FQB19N10LTM
1个N沟道 耐压:100V 电流:19A
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- 品牌名称onsemi(安森美)
商品型号
FQB19N10LTM商品编号
C3288189商品封装
D2PAK(TO-263)包装方式
编带
商品毛重
1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 100mΩ@9.5A,10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 3.75W；75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 18nC@5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 870pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
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