FQN1N50CBU
500V, 0.38A, 500V N沟道 MOSFET
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQN1N50CBU
- 商品编号
- C3281859
- 商品封装
- TO-92-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.311克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 380mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 890mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 195pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效开关模式电源和有源功率因数校正。
商品特性
- 16.5A、500V，栅源电压VGS = 10 V时，漏源导通电阻RDS(on) = 0.38 Ω
- 低栅极电荷（典型值32 nC）
- 低反向传输电容C_rss（典型值20 pF）
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力