SSN1N45BBU
N沟道,电流:0.5A,耐压:450V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SSN1N45BBU
- 商品编号
- C3281858
- 商品封装
- TO-92-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.311克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 450V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.25Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.9V@250mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 240pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
商品概述
- 沟槽功率MOSFET - AlphaSGT技术
- 兼具低导通电阻RDS(ON)和宽安全工作区(SOA)
- 允许更高的浪涌电流，实现更快启动和更短停机时间
- 符合RoHS标准且无卤
应用领域
- 负载开关-电池管理系统(BMS)-电机