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场效应管(MOSFET)
DMT6009LCT
引脚图
此图展示了型号为 DMT6009LCT 的引脚布局
焊盘图
此图展示了型号为 DMT6009LCT 的焊盘布局
温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准
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对比
DMT6009LCT
1个N沟道 耐压:60V 电流:37.2A
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMT6009LCT
商品编号
C3280477
商品封装
TO-220-3
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)
数据手册
商品参数
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属性
参数值
商品目录
场效应管(MOSFET)
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
37.2A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
12mΩ@13.5A,10V
属性
参数值
功率(Pd)
25W;2.2W
阈值电压(Vgs(th)@Id)
2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)
33.5nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)
1.925nF@30V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
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