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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 37.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 12mΩ@13.5A,10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 25W；2.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 33.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.925nF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
交货周期
订货65-67个工作日购买数量
(50个/管，最小起订量 3650 个)个
起订量：3650 个50个/管
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