RJK03M6DNS-00#J5
N沟道,电流:16A,耐压:30V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- RJK03M6DNS-00#J5
- 商品编号
- C3278161
- 商品封装
- HWSON-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 12.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.19nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
NP16N06QLK 是一款双 N 沟道 MOS 场效应晶体管，专为大电流开关应用而设计。
商品特性
- 极低的导通电阻
- RDS(on)1 最大值为 39 mΩ（VGS = 10 V， ID = 8 A）
- RDS(on)2 最大值为 60 mΩ（VGS = 4.5 V， ID = 4 A）
- 低输入电容：典型值 C_iss = 500 pF（VDS = 25 V）
- 专为汽车应用设计，符合 AEC - Q101 标准
- 采用小型 8 引脚双 HSON 封装
应用领域
- 汽车领域
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