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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

RJK03M9DNS-00#J5

N通道,电流:14A,耐压:30V

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商品型号
RJK03M9DNS-00#J5
商品编号
C3278160
商品封装
HWSON-8(3.3x3.3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.107克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)14A
导通电阻(RDS(on))15mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)10W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)6nC@10V
输入电容(Ciss)980pF
反向传输电容(Crss)65pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术,依据超结(SJ)原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的后续产品,是专门针对移相全桥(ZVS)和LLC等软开关应用优化的平台。由于降低了栅极电荷(Qg)、具备同类最佳的反向恢复电荷(Qrr)并改善了关断特性,CoolMOS CFD7在谐振拓扑中实现了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分,这个新产品系列融合了快速开关技术的所有优势以及卓越的硬换相鲁棒性,且在设计导入过程中易于实现。CoolMOS CFD7技术符合最高的效率和可靠性标准,并且支持高功率密度解决方案。总体而言,CoolMOS CFD7使谐振开关拓扑更高效、更可靠、更轻便且更凉爽。

商品特性

  • 高速开关
  • 能够提供4.5 V栅极驱动
  • 低驱动电流
  • 高密度安装
  • 低导通电阻
  • 典型导通电阻RDS(on) = 9.2 mΩ(VGS = 10 V时)
  • 无铅
  • 无卤素

应用领域

  • 软开关拓扑
  • 移相全桥(ZVS)、LLC应用 – 服务器、电信、电动汽车充电

数据手册PDF