NE55410GR-T3-AZ
N通道LDMOS FET,电流:1.0A,耐压:65V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NE55410GR-T3-AZ
- 商品编号
- C3278143
- 商品封装
- HTSSOP-16
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.4V | |
| 工作温度 | -25℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 高速开关
- 具备 4.5 V 栅极驱动能力
- 低驱动电流
- 高密度安装
- 低导通电阻
- RDS(导通) = 7.6 mΩ（典型值，VGS = 10 V 时）
- 无铅
- 无卤
应用领域
- 标准应用:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质应用:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命支持的医疗设备。
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