温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HXY2333AI
P沟道,电流:-6.5A,耐压:-18V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 该款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，专为20V电压系统设计，提供高达7A的大电流处理能力。具有低导通电阻与快速开关性能，广泛应用于充电器、电源管理等场景，实现高效率、稳定的功率转换与控制。
- 商品型号
- HXY2333AI
- 商品编号
- C3033389
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 18V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 980pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 450pF |