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HXY2333AI
P沟道,电流:-6.5A,耐压:-18V
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- 描述
- 该款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，专为20V电压系统设计，提供高达7A的大电流处理能力。具有低导通电阻与快速开关性能，广泛应用于充电器、电源管理等场景，实现高效率、稳定的功率转换与控制。
- 商品型号
- HXY2333AI
- 商品编号
- C3033389
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 18V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 980pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 450pF |
商品概述
NCE6003XY采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 3A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 90 mΩ
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 110 mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- 电池开关
- DC/DC转换器