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HXY2305AI
P沟道增强模式MOSFET,电流:-5A,耐压:-20V
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- 描述
- 该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，专为20V系统设计，提供5A大电流处理能力。具备低导通电阻与快速开关特性，广泛应用于充电器、电源转换及各类电子设备中，实现高效能、稳定可靠的功率控制。
- 商品型号
- HXY2305AI
- 商品编号
- C3033391
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.31W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 151pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品概述
HXY2301AI采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = - 20V，ID = - 3A - 在VGS = - 4.5V时，RDS(ON) < 80mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源