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WM03P42M
P沟道增强型MOSFET P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
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- 描述
- 特性：小信号MOSFET。VDS = -30V。ID = -4.2A。RDS(on) < 60mΩ @ VGS = -10V。RDS(on) < 75mΩ @ VGS = -4.5V。沟槽低压MOSFET技术
- 品牌名称
- Wayon(上海维安)
- 商品型号
- WM03P42M
- 商品编号
- C3030905
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 745pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 57pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
商品概述
这款N沟道功率MOSFET由和润微半导体公司采用先进的沟槽技术设计。该器件具备出色的栅极电荷和导通电阻RDS(on)，可大幅降低开关和传导损耗。因此，它非常适用于AC/DC电源转换、负载开关和工业电源应用。
商品特性
- 低品质因数RDS(on) × Qgd
- 100%雪崩测试
- 易于使用和驱动
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC/DC转换器-电池保护充放电-负载开关-同步整流