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WMM36N65C4
650V,电流:36A,耐压:700V
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- 品牌名称
- Wayon(上海维安)
- 商品型号
- WMM36N65C4
- 商品编号
- C3030930
- 商品封装
- TO-263-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.92克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 97mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 277W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.25nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
第五代HEXFET功率MOSFET采用先进的制造工艺，在单位硅片面积上实现极低的导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET广为人知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，这一优势为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。 采用定制化引线框架的Micro6封装，使HEXFET功率MOSFET的RDS(on)比同等尺寸的SOT - 23封装低60%。该封装非常适合印刷电路板空间有限的应用场景。其独特的散热设计和RDS(on)的降低，与SOT - 23封装相比，电流处理能力提高了近300%。
商品特性
- 最大结温下VDS = 700 V
- 典型RDS(on) = 0.08 Ω
- 100%进行UIS测试
- 无铅镀层、无卤素
应用领域
-LED照明-充电器-适配器-个人电脑-液晶电视-服务器