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WMM36N65C4
650V,电流:36A,耐压:700V
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- 品牌名称
- Wayon(上海维安)
- 商品型号
- WMM36N65C4
- 商品编号
- C3030930
- 商品封装
- TO-263-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.92克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 97mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 277W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.25nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
WMOSTM C4是第四代超结MOSFET产品系列,采用电荷平衡技术,实现极低的导通电阻和低栅极电荷性能。WMOSTM C4适用于要求卓越功率密度和出色效率的应用。
商品特性
- 最大结温下VDS = 700 V
- 典型RDS(on) = 0.08 Ω
- 100%进行UIS测试
- 无铅镀层、无卤素
应用领域
-LED照明-充电器-适配器-个人电脑-液晶电视-服务器