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WMB85N06T2
60V, 85A, N沟道增强型功率MOSFET
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- 品牌名称
- Wayon(上海维安)
- 商品型号
- WMB85N06T2
- 商品编号
- C3030948
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 81W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.55nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 78pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
WMOS™ C4是第四代超结MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备极低的导通电阻和低栅极电荷性能。WMOSS™ C4适用于对功率密度和效率要求极高的应用场景。
商品特性
- 最大结温（Tj）下，VDS = 650 V
- 典型导通电阻RDS(on) = 0.08 Ω
- 100%经过非钳位感性开关（UIS）测试
- 无铅镀层，无卤素
应用领域
- LED照明
- 充电器
- 适配器
- 个人电脑（PC）
- 液晶电视（LCD TV）
- 服务器