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WMB85N06T2
60V, 85A, N沟道增强型功率MOSFET
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- 品牌名称
- Wayon(上海维安)
- 商品型号
- WMB85N06T2
- 商品编号
- C3030948
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 81W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 78pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
WMOS™ C4是第四代超结MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备极低的导通电阻和低栅极电荷性能。WMOSS™ C4适用于对功率密度和效率要求极高的应用场景。
商品特性
- VDS = 60 V,ID = 85 A
- 当VGS = 10 V时,RDS(on) < 3.6 mΩ
- 当VGS = 4.5 V时,RDS(on) < 5.4 mΩ
- 低RDS(on)
- 低栅极电荷
- 100%保证EAS
应用领域
-电源管理开关-AC/DC快速充电器的同步整流