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WMO07N65C4
N沟道 耐压:650V 电流:5A
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- 描述
- 采用电荷平衡技术，实现极低导通电阻和低栅极电荷性能，适用于要求卓越功率密度和出色效率的应用。
- 品牌名称
- Wayon(上海维安)
- 商品型号
- WMO07N65C4
- 商品编号
- C3030956
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.14Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 23W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@0.25mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 230pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.8pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 耗尽型（常开）
- 专有先进平面技术
- 坚固的多晶硅栅单元结构
- 增强的静电放电（ESD）能力
- 快速开关速度
- 符合RoHS标准
- 可提供无卤产品
应用领域
- 抑制浪涌电流-常开开关-恒流源-保护电路