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WMO07N65C4
N沟道 耐压:650V 电流:5A
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- 描述
- 采用电荷平衡技术，实现极低导通电阻和低栅极电荷性能，适用于要求卓越功率密度和出色效率的应用。
- 品牌名称
- Wayon(上海维安)
- 商品型号
- WMO07N65C4
- 商品编号
- C3030956
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.14Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 23W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 230pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 最高结温(Tj)时,VDS = 700 V
- 典型 RDS(on) = 0.96 Ω
- 100% 进行单脉冲雪崩耐量(UIS)测试
- 无铅镀层、无卤素
应用领域
- LED 照明
- 充电器
- 适配器
- 个人电脑(PC)
- 液晶电视(LCD TV)
- 服务器