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WM02P30M
P沟道增强型MOSFET P沟道 耐压:20V 电流:3A
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- 品牌名称
- Wayon(上海维安)
- 商品型号
- WM02P30M
- 商品编号
- C3030980
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.3nC@2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 616pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品概述
WMO50N06TS采用先进的功率沟槽技术，该技术经过专门优化，可在最小化导通电阻的同时保持卓越的开关性能。
商品特性
- 威昂小信号MOSFET
- VDS = -20 V,ID = -3 A
- 在VGS = -4.5 V时,RDS(ON) < 70 mΩ
- 在VGS = -2.5 V时,RDS(ON) < 90 mΩ
- 沟槽低压MOSFET技术
应用领域
- 同步整流-DC/DC转换器
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