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WML14N65C4
650V, 11A, 650V
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- 描述
- WMOSTM C4 是第四代超结 MOSFET 产品系列，采用电荷平衡技术，具备极低的导通电阻和低栅极电荷性能。WMOSTM C4 适用于对功率密度和效率要求极高的应用场景。
- 品牌名称
- Wayon(上海维安)
- 商品型号
- WML14N65C4
- 商品编号
- C3030968
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.99克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 665pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 21.5pF |
商品概述
WMB080N10HG2采用了威兆第二代功率沟槽MOSFET技术，该技术经过特别优化，可在最小化导通电阻的同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合高效率快速开关应用。
商品特性
- 最大结温(Tj)下,VDS = 700 V
- 典型RDS(on) = 0.33 Ω
- 100%进行了单脉冲雪崩耐量(UIS)测试
- 无铅镀层、无卤
应用领域
-LED照明-充电器-适配器-个人电脑(PC)-液晶电视(LCD TV)-服务器
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