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WML14N65C4实物图
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WML14N65C4

650V, 11A, 650V

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描述
WMOSTM C4 是第四代超结 MOSFET 产品系列,采用电荷平衡技术,具备极低的导通电阻和低栅极电荷性能。WMOSTM C4 适用于对功率密度和效率要求极高的应用场景。
商品型号
WML14N65C4
商品编号
C3030968
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
2.99克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)11A
导通电阻(RDS(on))380mΩ@10V
耗散功率(Pd)31W
阈值电压(Vgs(th))4V@0.25mA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)13nC@10V
输入电容(Ciss)665pF@100V
反向传输电容(Crss)2.3pF@100V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)21.5pF

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