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WM02N50M
N沟道增强型MOSFET N沟道 耐压:20V 电流:5A
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- 描述
- 特性：小信号MOSFET。 VDS = 20V。 ID = 5A。 RDS(on) < 24mΩ @ VGS = 4.5V。 RDS(on) < 35mΩ @ VGS = 2.5V。 沟槽低压MOSFET技术
- 品牌名称
- Wayon(上海维安)
- 商品型号
- WM02N50M
- 商品编号
- C3030966
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品特性
- 威昂小信号MOSFET
- VDS = 20 V,ID = 5 A
- 在VGS = 4.5 V时,RDS(导通) < 24 mΩ
- 在VGS = 2.5 V时,RDS(导通) < 35 mΩ
- 沟槽低压MOSFET技术