温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
WMO15N10T1
N沟道增强型功率MOSFET N沟道 耐压:100V 电流:14.6A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- WMO15N10T1采用先进的功率沟槽技术，该技术经过特别设计，可最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- Wayon(上海维安)
- 商品型号
- WMO15N10T1
- 商品编号
- C3030962
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 41.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.22nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 53pF |
商品特性
- 威昂小信号MOSFET
- VDS = 20 V，ID = 5 A
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(导通) < 24 mΩ
- 在VGS = 2.5 V时，RDS(导通) < 35 mΩ
- 沟槽低压MOSFET技术