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WM02N28M
N沟道 耐压:20V 电流:2.8A
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- 描述
- 特性：VDS = 20V，ID = 2.8A，RDS(on) < 60mΩ @ VGS = 4.5V，RDS(on) < 100mΩ @ VGS = 2.5V。 低栅极电荷。 沟槽功率低压MOSFET技术
- 品牌名称
- Wayon(上海维安)
- 商品型号
- WM02N28M
- 商品编号
- C3030955
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 220pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 37pF |
优惠活动
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