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WMB080N10HG2
N沟道,电流:74A,耐压:100V
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- 品牌名称
- Wayon(上海维安)
- 商品型号
- WMB080N10HG2
- 商品编号
- C3030937
- 商品封装
- TDSON-8(5.1x5.9)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.23克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 74A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 80.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.25nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 370pF |
商品概述
WMOS™ C4 是第四代超结 MOSFET 系列，采用电荷平衡技术，具备极低的导通电阻和低栅极电荷性能。WMOS™ C4 适用于对功率密度和效率要求极高的应用场景。
商品特性
- VDS = 100 V,ID = 74 A(硅极限)
- 在VGS = 10 V时,RDS(on) < 8 mΩ
- 提供环保器件
- 100%保证抗雪崩能力
- 针对高速平稳开关进行优化
应用领域
-硬开关和高速电路-DC/DC转换-开关电源中的同步整流