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WMB080N10HG2实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

WMB080N10HG2

N沟道,电流:74A,耐压:100V

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商品型号
WMB080N10HG2
商品编号
C3030937
商品封装
TDSON-8(5.1x5.9)​
包装方式
编带
商品毛重
0.23克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)74A
导通电阻(RDS(on))8mΩ@10V
耗散功率(Pd)80.6W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)60nC@10V
输入电容(Ciss)2.25nF
反向传输电容(Crss)8.5pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)370pF

商品概述

WMOS™ C4 是第四代超结 MOSFET 系列,采用电荷平衡技术,具备极低的导通电阻和低栅极电荷性能。WMOS™ C4 适用于对功率密度和效率要求极高的应用场景。

商品特性

  • 最高结温(Tj)时,VDS = 700 V
  • 典型 RDS(on) = 0.96 Ω
  • 100% 进行单脉冲雪崩耐量(UIS)测试
  • 无铅镀层、无卤素

应用领域

  • LED 照明
  • 充电器
  • 适配器
  • 个人电脑(PC)
  • 液晶电视(LCD TV)
  • 服务器

数据手册PDF