温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
WM02P41M
P沟道增强型MOSFET P沟道 耐压:20V 电流:4.1A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：小信号MOSFET。 VDS = -20V。 ID = -4.1A。 RDS(on) < 45mΩ @ VGS = -4.5V。 RDS(on) < 57mΩ @ VGS = -2.5V。 沟槽低压MOSFET技术
- 品牌名称
- Wayon(上海维安)
- 商品型号
- WM02P41M
- 商品编号
- C3030942
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 751pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 97pF |
商品特性
- 每个器件独立引脚布局，便于电路设计
- 高电流肖特基二极管
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) ≤ 100 mΩ
- 在VGS = -2.5V时，RDS(ON) ≤ 135 mΩ
- 在VGS = -1.8V时，RDS(ON) ≤ 250 mΩ
应用领域
- 针对手机、数码相机、媒体播放器等便携式应用进行优化
- DC-DC降压电路
- 锂离子电池应用
- 彩色显示屏和相机闪光灯调节器