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WM06P17M
P沟道 耐压:60V 电流:1.7A
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- 描述
- 特性：VDS = -60V,ID = -1.7A。RDS(on) < 180mΩ @ VGS = -10V。RDS(on) < 260mΩ @ VGS = -4.5V。沟槽MOSFET技术。低栅极电荷。非常快速的开关。无铅器件
- 品牌名称
- Wayon(上海维安)
- 商品型号
- WM06P17M
- 商品编号
- C3030944
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0426克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 405pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 35pF |
商品特性
- 威兆小信号MOSFET
- VDS = -30 V，ID = -4.2 A
- 在VGS = -10 V时，RDS(导通) < 60 mΩ
- 在VGS = -4.5 V时，RDS(导通) < 75 mΩ
- 沟槽低压MOSFET技术